Simone平带电位（Flat band voltage）就是在MOS系统中，使半导体表面能带拉平（呈平带状态）所需要外加的电压时的电位。
用来表征：平带状态一般是指理想MOS系统中各个区域的能带都是拉平的一种状态。
测量：电化学方法：在三电极体系下，使用入射光激发半导体电极，并改变电极上的电势。当施加的电位比平带电位偏负的时候，光生电子不能够进入外电路，也就是说不会产生光电流。
相反，当施加的电位比平带电位偏正的时候，光生电子则能偶进入外电路，进而产生光电流。所以开始产哗明生光电流的电势即为该纳米半导体的乱高告平带电位。
扩展资料：
平带电压计算念笑
平带电压可分为两部分相加，Vfb=Vfb1+Vfb2，Vfb1用来抵消功函数差的影响，Vfb2用来消除氧化层及界面电荷的影响
1）Vfb1
Vfb1=φms=φg-φf；
对于多晶硅栅，高掺杂的情况下，φg≈0.56V，+用于p型栅，-用于n型栅。
φf是相对于本征费米能级的费米势。
2）Vfb2
以固定的有效界面电荷Q0来等效所有各类电荷作用，Vfb2=-Q0/Cox。
Cox为单位面积氧化层电容，可用ε0/dox求得。
总结起来，Vfb=φg-φf-Q0/Cox。
参考资料来源：百度百科-平带电位
