Simone
无结场效应晶体管（Junctionless Field Effect Transistor, JLT）是场效应晶体管的一种，由源极、漏极及中间的金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor, MOS)电容结构构成。与传统的金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET）器件不同，源极、沟道及漏极的杂质掺杂类型相同，无PN结，属于多数载流子导电器件。JLT利用栅极偏置电压改变垂直于导电沟道的电场强度，使沟道内的多数载流子累计或者耗尽，从而调制沟道电导控制沟道电流。无结场效应晶体管(JLT)已被提出作为传统MOSFET的替代品，以减轻传统晶体管由于特征尺寸微缩所面临的技术挑战。
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